三星将采用台积电 3nm 工艺为英伟达生产下一代 HBM 基底裸片

三星电子将采用台积电 3 纳米工艺为英伟达生产 NVHBM 的基底裸片，改变此前 HBM 一站式全包的制造模式。英伟达同时要求三星、SK 海力士和美光的核心裸片统一采用代号 1c 的第六代 DRAM 工艺，NVHBM 基于 HBM4E 架构。三星对标准 HBM 及面向 AMD 等客户的定制 HBM 仍保留一站式全包方案，并在验证自有产线制造 NVHBM 基底裸片的预案。