三星电子、SK海力士升级中国工厂，布局200层以上NAND闪存芯片

三星电子与SK海力士正推进中国工厂升级，尝试生产200层以上NAND闪存芯片，并持续与美国政府沟通以安装相关设备。三星电子计划将西安工厂改造为生产286层V9 NAND，目标今年12月达到每月5000片晶圆，2027年12月提升至4万片；SK海力士计划将大连工厂的NAND产线升级至240层以上，该厂目前生产192层产品。