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三星电子、SK海力士升级中国工厂，布局200层以上NAND闪存芯片三星电子与SK海力士正推进中国工厂升级，尝试生产200层以上NAND闪存芯片，并持续与美国政府沟通以安装相关设备。三星电子计划将西安工厂改造为生产286层V9 NAND，目标今年12月达到每月5000片晶圆，2027年12月提升至4万片；SK海力士计划将大连工厂的NAND产线升级至240层以上，该厂目前生产192层产品。
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三星、SK海力士升级中国NAND产线
1 篇报道1 个报道来源23 天前更新
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AI 综述
2026年10月21日报道，三星电子与SK海力士正推进中国工厂升级，尝试生产200层以上NAND闪存芯片，并持续与美国政府沟通，以安装相关设备。三星电子计划将西安工厂改造为生产286层V9 NAND，目标于2026年12月达到每月5000片晶圆，2027年12月提升至每月4万片。SK海力士则计划升级大连工厂的NAND产线，使其生产240层以上芯片；该工厂目前生产192层产品。上述目标均来自两家公司推进中的计划。
AI 根据报道生成 · 23 天前更新
最新进展10月21日 17:15
三星与SK海力士正推进中国NAND产线升级及设备安装沟通。来源对照
按已有事件归组排列报道，便于比较各来源的表述；多家报道不等于事实已核验。
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三星升级中国工厂生产先进闪存
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沿着报道，了解事件的不同侧面。
10月21日
- IT之家精选三星电子、SK海力士升级中国工厂，布局200层以上NAND闪存芯片
三星电子与SK海力士正推进中国工厂升级，尝试生产200层以上NAND闪存芯片，并持续与美国政府沟通以安装相关设备。三星电子计划将西安工厂改造为生产286层V9 NAND，目标今年12月达到每月5000片晶圆，2027年12月提升至4万片；SK海力士计划将大连工厂的NAND产线升级至240层以上，该厂目前生产192层产品。